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集成電路晶圓測(cè)試執(zhí)行步驟
發(fā)布時(shí)間：2019-07-02 18:33:52
可選的，所述晶圓包括多個(gè)芯片，每個(gè)所述芯片均包括上電復(fù)位電路；
可選的，所述測(cè)試項(xiàng)目包括DC測(cè)試和AC測(cè)試；
可選的，所述晶圓測(cè)試機(jī)包括控制單元、判斷單元和探針卡，其中，所述控制單元控制所述探針卡和所述判斷單元進(jìn)行工作，所述探針卡用于對(duì)所述芯片進(jìn)行測(cè)試并返回測(cè)試結(jié)果，所述判斷單元對(duì)所述測(cè)試結(jié)果進(jìn)行判斷；
可選的，所述晶圓測(cè)試機(jī)還包一比較單元，用于比較所述晶圓測(cè)試機(jī)對(duì)一芯片完成的測(cè)試項(xiàng)目數(shù)量與一閾值是否相同；
可選的，所述控制單元發(fā)出測(cè)試信號(hào)，所述探針卡接收所述測(cè)試信號(hào)并對(duì)所述芯片進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試后將測(cè)試結(jié)果反饋給所述判斷單元；
可選的，所述判斷單元獲取所述探針卡反饋的測(cè)試結(jié)果，并根據(jù)所述測(cè)試結(jié)果判斷所述芯片是否通過(guò)測(cè)試；
可選的，所述探針卡包括開(kāi)關(guān)、濾波單元和多個(gè)探針，所述開(kāi)關(guān)用于控制所述探針卡是否進(jìn)行工作，所述濾波單元用于濾除進(jìn)出芯片的電流的高頻成分和低頻成分，多個(gè)所述探針與芯片進(jìn)行接觸以進(jìn)行測(cè)試；
可選的，所述芯片上設(shè)置有測(cè)試焊點(diǎn)，所述探針與所述測(cè)試焊點(diǎn)接觸以進(jìn)行測(cè)試；
可選的，所述晶圓包括嵌入式閃存的晶圓。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，通常是利用晶圓測(cè)試機(jī)的具有若干探針的探針卡，將探針卡的探針與晶圓上的芯片電接觸以進(jìn)行測(cè)試。但是，為了使測(cè)試項(xiàng)目之間互不影響，會(huì)對(duì)晶圓測(cè)試機(jī)進(jìn)行上電和下電，這一隔離動(dòng)作會(huì)造成探針卡上的電容對(duì)芯片的充放電效應(yīng)，并且因?yàn)榍昂鬁y(cè)試項(xiàng)時(shí)間間隔太短，往往會(huì)因芯片應(yīng)答慢而出現(xiàn)測(cè)試失效。
發(fā)明人考慮到，如果能給測(cè)試機(jī)一個(gè)緩慢的上電和下電過(guò)程，會(huì)消除探針卡上電容充放電對(duì)芯片的影響，進(jìn)而提高晶圓測(cè)試結(jié)果的真實(shí)率和準(zhǔn)確率。
在本發(fā)明提供的晶圓的測(cè)試方法中，包括L1：對(duì)所述芯片進(jìn)行測(cè)試項(xiàng)目i(1≤i≤n)的檢測(cè)，并判斷所述芯片是否通過(guò)測(cè)試；L2：若所述芯片通過(guò)測(cè)試，所述晶圓測(cè)試機(jī)進(jìn)行臺(tái)階掉電和臺(tái)階上電，并執(zhí)行步驟L3，若所述芯片未通過(guò)測(cè)試，結(jié)束測(cè)試，所述晶圓不合格；L3：判斷i是否等于n，若i等于n，結(jié)束測(cè)試，所述晶圓合格，若i不等于n，取i＝i+1，執(zhí)行步驟L1。所述晶圓測(cè)試機(jī)進(jìn)行臺(tái)階掉電和臺(tái)階上電，避免了因芯片應(yīng)答慢而出現(xiàn)測(cè)試失效的情況，解決了芯片過(guò)宰的問(wèn)題，提升了測(cè)試穩(wěn)定性，避免了探針卡對(duì)芯片的充放電效應(yīng)，提高了產(chǎn)品良率，并且沒(méi)有增加任何成本。
