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晶圓減薄技術背景介紹
發(fā)布時間：2019-07-18 16:17:07
晶圓是制造半導體芯片的基本材料，半導體集成電路最主要的原料是硅，因此對應的就是硅晶圓。在制備存儲器時需要在晶圓表面制備存儲區(qū)和邊緣區(qū)，在存儲區(qū)中形成多個相互隔離的存儲單元，在邊緣區(qū)中制備形成相應的控制結(jié)構。
在存儲器生產(chǎn)的過程中，往往需要對晶圓表面進行化學機械研磨，然而，現(xiàn)有的研磨技術下，隨著存儲器的存儲區(qū)內(nèi)存儲陣列的特征尺寸的不斷減小，使得研磨效果在存儲區(qū)和邊緣區(qū)的差異變大，晶圓表面平整度變差，嚴重時可能導致后續(xù)的刻蝕工藝在晶圓表面造成損傷。
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